ส่วนประกอบการปลูกถ่ายโมลิบไอออน
คำอธิบายส่วนประกอบการฝังโมลิบดีนัมไอออน
กระบวนการฝังไอออนสามารถเปลี่ยนคุณสมบัติของพื้นผิววัสดุ (เช่น ความหนาแน่นของโครงสร้างผลึก ความนำไฟฟ้า และความต้านทานการสึกหรอ) และเป็นเทคโนโลยีที่จำเป็นสำหรับการผลิตวงจรรวมหรือส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์ขนาดใหญ่ ส่วนประกอบการฝังไอออนโมลิบดีนัมทำจากวัสดุโมลิบดีนัมที่มีคุณสมบัติเชิงกลสูงผ่านกระบวนการโลหะวิทยาแบบผง และสามารถนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในสาขาวิศวกรรมอิเล็กทรอนิกส์ การผลิตแม่พิมพ์โลหะ ปิโตรเคมี การบินและอวกาศ และสาขาการแพทย์ ส่วนประกอบการฝังโมลิบไอออนมีคุณลักษณะของจุดหลอมเหลวสูง ความแข็งสูง ความแข็งแรงสูง ทนต่อการสึกหรอ ทนต่อแรงกระแทก ทนต่อรอยขีดข่วน ทนต่ออุณหภูมิสูง ค่าการนำไฟฟ้าสูง ประสิทธิภาพการประมวลผลที่ดี อายุการใช้งานยาวนาน ฯลฯ และยังสามารถตอบสนอง ความต้องการของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ต่างๆ ข้อกำหนดด้านการนำไฟฟ้าช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพและประสิทธิภาพของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ให้ดียิ่งขึ้น หากคุณมีความต้องการผลิตภัณฑ์โมลิบดีนัมหรือผลิตภัณฑ์ทังสเตนโปรดติดต่อเราทางอีเมล
ข้อมูลจำเพาะของส่วนประกอบการฝัง Moly Ion:
|
ระดับ |
ม1,โม2 |
|
ความบริสุทธิ์ |
มากกว่าหรือเท่ากับ 98% |
|
เทคนิค |
อบอ่อน, กลิ้ง, เชื่อม, เจาะ, ปลอม |
|
ความหนาแน่น |
10.2ก./ซม3 |
|
ช่วงอุณหภูมิ |
1100-2000 องศา |
|
พื้นผิว |
สีดำ, การดองด้วยกรด, การทำความสะอาดอัลคาไลน์, ขัดเงา, สว่าง |
|
รูปร่าง |
สามเหลี่ยม สี่เหลี่ยม ดิสก์ หรือทำเป็นรูปวาด |
|
การรับรอง |
ISO9001,ISO14001 |
ส่วนประกอบการฝังโมลิบดีนัมไอออนรูปภาพ:


ป้ายกำกับยอดนิยม: ส่วนประกอบการฝังโมลิบดีนัมไอออน ซัพพลายเออร์ ผู้ผลิต โรงงาน กำหนดเอง ขายส่ง ราคา ใบเสนอราคา ขาย
ส่งคำถาม


