+8613140018814
ส่วนประกอบการปลูกถ่ายโมลิบไอออน
video
ส่วนประกอบการปลูกถ่ายโมลิบไอออน

ส่วนประกอบการปลูกถ่ายโมลิบไอออน

คำอธิบายส่วนประกอบการฝังไอออนโมลิบดีนัมกระบวนการฝังไอออนสามารถเปลี่ยนคุณสมบัติของพื้นผิววัสดุ (เช่นความหนาแน่นของโครงสร้างผลึก การนำไฟฟ้า และความต้านทานการสึกหรอ) และเป็นเทคโนโลยีที่จำเป็นสำหรับการผลิตวงจรรวมขนาดใหญ่หรือเซมิคอนดักเตอร์...
ส่งคำถาม
Product Details ofส่วนประกอบการปลูกถ่ายโมลิบไอออน

คำอธิบายส่วนประกอบการฝังโมลิบดีนัมไอออน

กระบวนการฝังไอออนสามารถเปลี่ยนคุณสมบัติของพื้นผิววัสดุ (เช่น ความหนาแน่นของโครงสร้างผลึก ความนำไฟฟ้า และความต้านทานการสึกหรอ) และเป็นเทคโนโลยีที่จำเป็นสำหรับการผลิตวงจรรวมหรือส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์ขนาดใหญ่ ส่วนประกอบการฝังไอออนโมลิบดีนัมทำจากวัสดุโมลิบดีนัมที่มีคุณสมบัติเชิงกลสูงผ่านกระบวนการโลหะวิทยาแบบผง และสามารถนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในสาขาวิศวกรรมอิเล็กทรอนิกส์ การผลิตแม่พิมพ์โลหะ ปิโตรเคมี การบินและอวกาศ และสาขาการแพทย์ ส่วนประกอบการฝังโมลิบไอออนมีคุณลักษณะของจุดหลอมเหลวสูง ความแข็งสูง ความแข็งแรงสูง ทนต่อการสึกหรอ ทนต่อแรงกระแทก ทนต่อรอยขีดข่วน ทนต่ออุณหภูมิสูง ค่าการนำไฟฟ้าสูง ประสิทธิภาพการประมวลผลที่ดี อายุการใช้งานยาวนาน ฯลฯ และยังสามารถตอบสนอง ความต้องการของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ต่างๆ ข้อกำหนดด้านการนำไฟฟ้าช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพและประสิทธิภาพของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ให้ดียิ่งขึ้น หากคุณมีความต้องการผลิตภัณฑ์โมลิบดีนัมหรือผลิตภัณฑ์ทังสเตนโปรดติดต่อเราทางอีเมล

ข้อมูลจำเพาะของส่วนประกอบการฝัง Moly Ion:

ระดับ

ม1,โม2

ความบริสุทธิ์

มากกว่าหรือเท่ากับ 98%

เทคนิค

อบอ่อน, กลิ้ง, เชื่อม, เจาะ, ปลอม

ความหนาแน่น

10.2ก./ซม3

ช่วงอุณหภูมิ

1100-2000 องศา

พื้นผิว

สีดำ, การดองด้วยกรด, การทำความสะอาดอัลคาไลน์, ขัดเงา, สว่าง

รูปร่าง

สามเหลี่ยม สี่เหลี่ยม ดิสก์ หรือทำเป็นรูปวาด

การรับรอง

ISO9001,ISO14001

ส่วนประกอบการฝังโมลิบดีนัมไอออนรูปภาพ:

Customized Molybdenum Ion Implant Part

Tungsten Molybdenum Ion Implant Parts

ป้ายกำกับยอดนิยม: ส่วนประกอบการฝังโมลิบดีนัมไอออน ซัพพลายเออร์ ผู้ผลิต โรงงาน กำหนดเอง ขายส่ง ราคา ใบเสนอราคา ขาย

ส่งคำถาม

(0/10)

clearall